N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW48N60DM2

RS kataloški broj:: 111-6484robna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: STW48N60DM2
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

79 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.75mm

Width

5.15mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

20.15mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 10,38

€ 10,38 Each (bez PDV-a)

€ 12,14

€ 12,14 Each (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW48N60DM2
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1€ 10,38
2€ 20,76
3€ 31,14
4€ 41,52
5€ 51,90
6€ 62,28
7€ 72,66
8€ 83,04
9€ 93,42
10€ 103,80
11€ 114,18
12€ 124,56
13€ 134,94
14€ 145,32
15€ 155,70

€ 10,38

€ 10,38 Each (bez PDV-a)

€ 12,14

€ 12,14 Each (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW48N60DM2
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1€ 10,38
2€ 20,76
3€ 31,14
4€ 41,52
5€ 51,90
6€ 62,28
7€ 72,66
8€ 83,04
9€ 93,42
10€ 103,80
11€ 114,18
12€ 124,56
13€ 134,94
14€ 145,32
15€ 155,70

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

79 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.75mm

Width

5.15mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

20.15mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više