onsemi MMBFJ112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin SOT-23

RS kataloški broj:: 761-3684Pbrend: onsemiProizvođački broj:: MMBFJ112
brand-logo
Prikaži sve u JFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 5mA

Maximum Gate Source Voltage

-35 V

Maximum Drain Gate Voltage

35V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

28pF

Source Gate On-Capacitance

28pF

Dimensions

2.92 x 1.3 x 0.93mm

Width

1.3mm

Height

0.93mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Length

2.92mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

RSD 3.266

RSD 32,659 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 3.919

RSD 39,191 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

onsemi MMBFJ112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin SOT-23
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 25
100RSD 3.266
125RSD 4.082
150RSD 4.899
175RSD 5.715
200RSD 6.532
225RSD 7.348
250RSD 7.512
275RSD 8.263
300RSD 9.014
325RSD 9.765
350RSD 10.516
375RSD 11.267
400RSD 12.018
425RSD 12.770
450RSD 13.521

RSD 3.266

RSD 32,659 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 3.919

RSD 39,191 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

onsemi MMBFJ112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin SOT-23

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 25
100RSD 3.266
125RSD 4.082
150RSD 4.899
175RSD 5.715
200RSD 6.532
225RSD 7.348
250RSD 7.512
275RSD 8.263
300RSD 9.014
325RSD 9.765
350RSD 10.516
375RSD 11.267
400RSD 12.018
425RSD 12.770
450RSD 13.521

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinaJedinična cenaPo kolut
100 - 225RSD 32,659RSD 816
250 - 475RSD 30,046RSD 751
500 - 975RSD 27,433RSD 686
1000+RSD 26,127RSD 653

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 5mA

Maximum Gate Source Voltage

-35 V

Maximum Drain Gate Voltage

35V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

28pF

Source Gate On-Capacitance

28pF

Dimensions

2.92 x 1.3 x 0.93mm

Width

1.3mm

Height

0.93mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Length

2.92mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više