STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW70N60DM2

RS kataloški broj:: 111-6487robna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: STW70N60DM2
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

66 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

42 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

446 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Width

5.15mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

121 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 28,36

KM 28,36 Each (bez PDV-a)

KM 33,18

KM 33,18 Each (s PDV-om)

STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW70N60DM2
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1KM 28,36
2KM 56,72
3KM 85,08
4KM 113,44
5KM 141,80
6KM 170,15
7KM 198,51
8KM 226,87
9KM 255,23
10KM 283,59
11KM 311,95
12KM 340,31
13KM 368,67
14KM 397,03
15KM 425,39

KM 28,36

KM 28,36 Each (bez PDV-a)

KM 33,18

KM 33,18 Each (s PDV-om)

STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW70N60DM2
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1KM 28,36
2KM 56,72
3KM 85,08
4KM 113,44
5KM 141,80
6KM 170,15
7KM 198,51
8KM 226,87
9KM 255,23
10KM 283,59
11KM 311,95
12KM 340,31
13KM 368,67
14KM 397,03
15KM 425,39

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

66 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

42 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

446 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Width

5.15mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

121 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više