Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 9.3 A, 9.6 A, 35 V, 3-Pin DPAK DMG4511SK4-13
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
9.3 A, 9.6 A
Maximum Drain Source Voltage
35 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
8.9 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.7 nC @ 10 V, 19.2 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Width
6.2mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
2.39mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 182.889
RSD 73,156 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 219.467
RSD 87,787 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
2500
RSD 182.889
RSD 73,156 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 219.467
RSD 87,787 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
2500
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
9.3 A, 9.6 A
Maximum Drain Source Voltage
35 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
8.9 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.7 nC @ 10 V, 19.2 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Width
6.2mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
2.39mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda