Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB018N06NF2SATMA1

RS kataloški broj:: 262-5855Probna marka: InfineonProizvođački broj:: IPB018N06NF2SATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

187 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

2

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 6,164

Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 7,212

Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB018N06NF2SATMA1
Odaberite vrstu pakovanja

KM 6,164

Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 7,212

Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB018N06NF2SATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo kolut
5 - 20KM 6,164KM 30,82
25 - 45KM 5,624KM 28,12
50 - 120KM 5,515KM 27,58
125 - 245KM 5,299KM 26,50
250+KM 5,083KM 25,41

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

187 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

2

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više