onsemi 2SK3557-6-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 20mA, 3-Pin CP

RS kataloški broj:: 792-5164Probna marka: onsemiProizvođački broj:: 2SK3557-6-TB-E
brand-logo
Prikaži sve u JFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

10 to 20mA

Maximum Drain Source Voltage

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

CP

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

10pF

Source Gate On-Capacitance

2.9pF

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Length

2.9mm

Height

1.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.5mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 0,995

Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 1,164

Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

onsemi 2SK3557-6-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 20mA, 3-Pin CP
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 100
100KM 99,49
125KM 124,37
150KM 149,24
100KM 99,49
125KM 124,37
150KM 149,24
175KM 174,11
200KM 198,99
225KM 223,86
250KM 221,70
275KM 243,87
300KM 266,04
325KM 288,21
350KM 310,38
375KM 332,55

KM 0,995

Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 1,164

Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

onsemi 2SK3557-6-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 20mA, 3-Pin CP
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 100
100KM 99,49
125KM 124,37
150KM 149,24
100KM 99,49
125KM 124,37
150KM 149,24
175KM 174,11
200KM 198,99
225KM 223,86
250KM 221,70
275KM 243,87
300KM 266,04
325KM 288,21
350KM 310,38
375KM 332,55

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo kolut
100 - 225KM 0,995KM 24,87
250 - 475KM 0,887KM 22,17
500 - 975KM 0,822KM 20,55
1000+KM 0,779KM 19,47

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

10 to 20mA

Maximum Drain Source Voltage

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

CP

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

10pF

Source Gate On-Capacitance

2.9pF

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Length

2.9mm

Height

1.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.5mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više