onsemi J109 N-Channel JFET, Idss min. 40mA, 3-Pin TO-92

RS kataloški broj:: 806-1750robna marka: onsemiProizvođački broj:: J109
brand-logo
Prikaži sve u JFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 40mA

Maximum Gate Source Voltage

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

12 Ω

Mounting Type

Through Hole

Package Type

TO-92

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

85pF

Source Gate On-Capacitance

85pF

Dimensions

4.58 x 3.86 x 4.58mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

4.58mm

Height

4.58mm

Width

3.86mm

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 1,254

Each (In a Pack of 25) (bez PDV-a)

KM 1,467

Each (In a Pack of 25) (s PDV-om)

onsemi J109 N-Channel JFET, Idss min. 40mA, 3-Pin TO-92
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

25

Dostupno u više komada 25
25KM 31,36
50KM 62,72
75KM 94,09
100KM 110,31
125KM 137,88
150KM 165,46
175KM 193,04
200KM 220,62
225KM 248,19
250KM 248,73
275KM 273,61
300KM 298,48
325KM 323,35
350KM 348,23
375KM 373,10

KM 1,254

Each (In a Pack of 25) (bez PDV-a)

KM 1,467

Each (In a Pack of 25) (s PDV-om)

onsemi J109 N-Channel JFET, Idss min. 40mA, 3-Pin TO-92
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

25

Dostupno u više komada 25
25KM 31,36
50KM 62,72
75KM 94,09
100KM 110,31
125KM 137,88
150KM 165,46
175KM 193,04
200KM 220,62
225KM 248,19
250KM 248,73
275KM 273,61
300KM 298,48
325KM 323,35
350KM 348,23
375KM 373,10

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
25 - 75KM 1,254KM 31,36
100 - 225KM 1,103KM 27,58
250 - 475KM 0,995KM 24,87
500+KM 0,908KM 22,71

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 40mA

Maximum Gate Source Voltage

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

12 Ω

Mounting Type

Through Hole

Package Type

TO-92

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

85pF

Source Gate On-Capacitance

85pF

Dimensions

4.58 x 3.86 x 4.58mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

4.58mm

Height

4.58mm

Width

3.86mm

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više