N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW56N60DM2

RS kataloški broj:: 111-6485robna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: STW56N60DM2
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

60 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

360 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

90 nC @ 10 V

Width

5.15mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

20.15mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 31,60

KM 31,60 Each (bez PDV-a)

KM 36,97

KM 36,97 Each (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW56N60DM2
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1KM 31,60
2KM 63,20
3KM 94,80
4KM 126,40
5KM 152,16
6KM 182,59
7KM 213,02
8KM 243,46
9KM 273,89
10KM 285,50
11KM 314,05
12KM 342,60
13KM 371,15
14KM 399,70
15KM 428,25

KM 31,60

KM 31,60 Each (bez PDV-a)

KM 36,97

KM 36,97 Each (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW56N60DM2
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1KM 31,60
2KM 63,20
3KM 94,80
4KM 126,40
5KM 152,16
6KM 182,59
7KM 213,02
8KM 243,46
9KM 273,89
10KM 285,50
11KM 314,05
12KM 342,60
13KM 371,15
14KM 399,70
15KM 428,25

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijena
1 - 4KM 31,60
5 - 9KM 30,43
10 - 24KM 28,55
25 - 49KM 26,78
50+KM 26,39

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

60 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

360 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

90 nC @ 10 V

Width

5.15mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

20.15mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više