N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-247 Toshiba TK20N60W5,S1VF(S

RS kataloški broj:: 125-0551robna marka: ToshibaProizvođački broj:: TK20N60W5,S1VF(S
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

175 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

165 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

5.02mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

15.94mm

Typical Gate Charge @ Vgs

55 nC @ 10 V

Height

20.95mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 46,29

KM 9,257 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

KM 54,16

KM 10,831 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-247 Toshiba TK20N60W5,S1VF(S

5

Dostupno u više komada 5
5KM 46,29
10KM 92,57
15KM 138,86
20KM 185,14
25KM 211,42
30KM 253,71
35KM 295,99
40KM 338,28
45KM 380,56
50KM 402,30
55KM 442,53
60KM 482,76
65KM 522,99
70KM 563,22
75KM 603,45

KM 46,29

KM 9,257 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

KM 54,16

KM 10,831 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-247 Toshiba TK20N60W5,S1VF(S
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

5

Dostupno u više komada 5
5KM 46,29
10KM 92,57
15KM 138,86
20KM 185,14
25KM 211,42
30KM 253,71
35KM 295,99
40KM 338,28
45KM 380,56
50KM 402,30
55KM 442,53
60KM 482,76
65KM 522,99
70KM 563,22
75KM 603,45

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
5 - 20KM 9,257KM 46,29
25 - 45KM 8,457KM 42,28
50+KM 8,046KM 40,23

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

175 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

165 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

5.02mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

15.94mm

Typical Gate Charge @ Vgs

55 nC @ 10 V

Height

20.95mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više