N-Channel MOSFET, 11.1 A, 100 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4056DY-T1-GE3

RS kataloški broj:: 787-9137robna marka: VishayProizvođački broj:: SI4056DY-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11.1 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

ThunderFET

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

31 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

5.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19.6 nC @ 10 V

Width

4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 16,55

KM 3,309 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

KM 19,36

KM 3,872 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 11.1 A, 100 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4056DY-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5KM 16,55
10KM 33,09
15KM 49,64
20KM 66,18
25KM 82,73
30KM 99,28
35KM 115,82
40KM 132,37
45KM 148,92
50KM 141,67
55KM 155,84
60KM 170,00
65KM 184,17
70KM 198,34
75KM 212,50

KM 16,55

KM 3,309 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

KM 19,36

KM 3,872 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 11.1 A, 100 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4056DY-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5KM 16,55
10KM 33,09
15KM 49,64
20KM 66,18
25KM 82,73
30KM 99,28
35KM 115,82
40KM 132,37
45KM 148,92
50KM 141,67
55KM 155,84
60KM 170,00
65KM 184,17
70KM 198,34
75KM 212,50

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
5 - 45KM 3,309KM 16,55
50 - 245KM 2,833KM 14,17
250 - 495KM 2,444KM 12,22
500 - 1245KM 2,401KM 12,00
1250+KM 2,336KM 11,68

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11.1 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

ThunderFET

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

31 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

5.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19.6 nC @ 10 V

Width

4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više