Texas Instruments N-Channel MOSFET, 259 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19536KCS

RS kataloški broj:: 827-4919Probna marka: Texas InstrumentsProizvođački broj:: CSD19536KCS
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

259 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

NexFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

118 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 266,97

KM 10,268 Each (Supplied in a Tube) (bez PDV-a)

KM 312,35

KM 12,014 Each (Supplied in a Tube) (s PDV-om)

Texas Instruments N-Channel MOSFET, 259 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19536KCS
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (cijev)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 2.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 2.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

26

Dostupno u više komada 2
26KM 266,97
28KM 287,50
30KM 308,04
32KM 328,57
34KM 349,11
36KM 369,65
38KM 390,18
40KM 410,72
42KM 431,25
44KM 451,79
46KM 472,33
48KM 492,86
50KM 513,40
52KM 533,93
54KM 554,47

KM 266,97

KM 10,268 Each (Supplied in a Tube) (bez PDV-a)

KM 312,35

KM 12,014 Each (Supplied in a Tube) (s PDV-om)

Texas Instruments N-Channel MOSFET, 259 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19536KCS
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (cijev)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 2.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 2.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

26

Dostupno u više komada 2
26KM 266,97
28KM 287,50
30KM 308,04
32KM 328,57
34KM 349,11
36KM 369,65
38KM 390,18
40KM 410,72
42KM 431,25
44KM 451,79
46KM 472,33
48KM 492,86
50KM 513,40
52KM 533,93
54KM 554,47

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

259 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

NexFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

118 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više