Vishay P-Channel MOSFET, 3.8 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3

RS kataloški broj:: 165-6283robna marka: VishayProizvođački broj:: SI9407BDY-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.8 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4mm

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14.5 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

KM 3.471,54

KM 1,389 Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)

KM 4.061,70

KM 1,625 Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)

Vishay P-Channel MOSFET, 3.8 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3

2500

Dostupno u više komada 2500
2500KM 3.471,54
5000KM 6.943,09
7500KM 10.414,64
10000KM 13.886,18
12500KM 17.357,72
15000KM 20.829,27
17500KM 24.300,82
20000KM 27.772,36
22500KM 31.243,90
25000KM 34.715,45
27500KM 38.187,00
30000KM 41.658,54
32500KM 45.130,08
35000KM 48.601,63
37500KM 52.073,18

KM 3.471,54

KM 1,389 Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)

KM 4.061,70

KM 1,625 Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)

Vishay P-Channel MOSFET, 3.8 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2500

Dostupno u više komada 2500
2500KM 3.471,54
5000KM 6.943,09
7500KM 10.414,64
10000KM 13.886,18
12500KM 17.357,72
15000KM 20.829,27
17500KM 24.300,82
20000KM 27.772,36
22500KM 31.243,90
25000KM 34.715,45
27500KM 38.187,00
30000KM 41.658,54
32500KM 45.130,08
35000KM 48.601,63
37500KM 52.073,18

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.8 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4mm

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14.5 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više