Diodes Inc N-Channel MOSFET, 28 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMN4026SK3-13
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21.3 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.39mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 16.199
RSD 80,994 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
RSD 19.438
RSD 97,193 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
200
RSD 16.199
RSD 80,994 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
RSD 19.438
RSD 97,193 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
200
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cena | Po kolut |
|---|---|---|
| 200 - 480 | RSD 80,994 | RSD 1.620 |
| 500 - 1980 | RSD 74,462 | RSD 1.489 |
| 2000+ | RSD 67,93 | RSD 1.359 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21.3 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.39mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda