Diodes Inc N-Channel MOSFET, 450 mA, 100 V, 3-Pin TO-92 ZVN4210A
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
450 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.95mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 777
RSD 155,456 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 933
RSD 186,547 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Standard
5
RSD 777
RSD 155,456 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 933
RSD 186,547 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Standard
5
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RSD 155,456 | RSD 777 |
| 50+ | RSD 133,248 | RSD 666 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
450 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.95mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda