Diodes Inc P-Channel MOSFET, 10.4 A, 60 V, 3-Pin DPAK ZXMP6A18KTC
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10.4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
10.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
7.67mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.39mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 2.675,00
€ 1,07 komadno (u namotaju od 2500) (bez PDV-a)
€ 3.129,75
€ 1,252 komadno (u namotaju od 2500) (s PDV-om)
2500
€ 2.675,00
€ 1,07 komadno (u namotaju od 2500) (bez PDV-a)
€ 3.129,75
€ 1,252 komadno (u namotaju od 2500) (s PDV-om)
2500
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10.4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
10.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
7.67mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.39mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda