Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 71 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R030M1HXUMA1

RS kataloški broj:: 284-715brend: InfineonProizvođački broj:: IMT65R030M1HXUMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

71 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 4.566.996

RSD 2.283,498 komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)

RSD 5.480.395

RSD 2.740,198 komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 71 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R030M1HXUMA1

2000

Dostupno u više komada 2000
2000RSD 4.566.996
4000RSD 9.133.992
6000RSD 13.700.988
8000RSD 18.267.984
10000RSD 22.834.981
12000RSD 27.401.977
14000RSD 31.968.973
16000RSD 36.535.969
18000RSD 41.102.965
20000RSD 45.669.961
22000RSD 50.236.957
24000RSD 54.803.953
26000RSD 59.370.949
28000RSD 63.937.945
30000RSD 68.504.942

RSD 4.566.996

RSD 2.283,498 komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)

RSD 5.480.395

RSD 2.740,198 komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 71 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R030M1HXUMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2000

Dostupno u više komada 2000
2000RSD 4.566.996
4000RSD 9.133.992
6000RSD 13.700.988
8000RSD 18.267.984
10000RSD 22.834.981
12000RSD 27.401.977
14000RSD 31.968.973
16000RSD 36.535.969
18000RSD 41.102.965
20000RSD 45.669.961
22000RSD 50.236.957
24000RSD 54.803.953
26000RSD 59.370.949
28000RSD 63.937.945
30000RSD 68.504.942

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

71 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više