Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R048M1HXUMA1

RS kataloški broj:: 284-721brend: InfineonProizvođački broj:: IMT65R048M1HXUMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 3.258.034

RSD 1.629,017 komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)

RSD 3.909.641

RSD 1.954,82 komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R048M1HXUMA1

2000

Dostupno u više komada 2000
2000RSD 3.258.034
4000RSD 6.516.069
6000RSD 9.774.103
8000RSD 13.032.138
10000RSD 16.290.172
12000RSD 19.548.206
14000RSD 22.806.241
16000RSD 26.064.275
18000RSD 29.322.310
20000RSD 32.580.344
22000RSD 35.838.378
24000RSD 39.096.413
26000RSD 42.354.447
28000RSD 45.612.482
30000RSD 48.870.516

RSD 3.258.034

RSD 1.629,017 komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)

RSD 3.909.641

RSD 1.954,82 komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R048M1HXUMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2000

Dostupno u više komada 2000
2000RSD 3.258.034
4000RSD 6.516.069
6000RSD 9.774.103
8000RSD 13.032.138
10000RSD 16.290.172
12000RSD 19.548.206
14000RSD 22.806.241
16000RSD 26.064.275
18000RSD 29.322.310
20000RSD 32.580.344
22000RSD 35.838.378
24000RSD 39.096.413
26000RSD 42.354.447
28000RSD 45.612.482
30000RSD 48.870.516

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više