IXYS IXGT30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-268, Surface Mount

RS kataloški broj:: 192-635robna marka: IXYSProizvođački broj:: IXGT30N120B3D1
brand-logo
Prikaži sve u IGBTs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Package Type

TO-268

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.05 x 14 x 5.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 51,07

KM 51,07 Each (bez PDV-a)

KM 59,75

KM 59,75 Each (s PDV-om)

IXYS IXGT30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-268, Surface Mount

1

Dostupno u više komada 1
1KM 51,07
2KM 102,13
3KM 153,20
4KM 204,26
5KM 255,33
6KM 306,40
7KM 357,46
8KM 408,53
9KM 459,59
10KM 510,66
11KM 561,73
12KM 612,79
13KM 663,86
14KM 714,92
15KM 765,99

KM 51,07

KM 51,07 Each (bez PDV-a)

KM 59,75

KM 59,75 Each (s PDV-om)

IXYS IXGT30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-268, Surface Mount
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

1

Dostupno u više komada 1
1KM 51,07
2KM 102,13
3KM 153,20
4KM 204,26
5KM 255,33
6KM 306,40
7KM 357,46
8KM 408,53
9KM 459,59
10KM 510,66
11KM 561,73
12KM 612,79
13KM 663,86
14KM 714,92
15KM 765,99

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Package Type

TO-268

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.05 x 14 x 5.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati