Toshiba TK N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK100E10N1

RS kataloški broj:: 168-7770robna marka: ToshibaProizvođački broj:: TK100E10N1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

207 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

TK

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

255 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.45mm

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15.1mm

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 258,17

KM 5,163 Each (In a Tube of 50) (bez PDV-a)

KM 302,06

KM 6,041 Each (In a Tube of 50) (s PDV-om)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK100E10N1

50

Dostupno u više komada 50
50KM 258,17
100KM 516,33
150KM 774,50
200KM 1.032,66
250KM 1.290,83
300KM 1.548,99
350KM 1.807,16
400KM 2.065,32
450KM 2.323,49
500KM 2.581,66
550KM 2.839,82
600KM 3.097,99
650KM 3.356,15
700KM 3.614,32
750KM 3.872,48

KM 258,17

KM 5,163 Each (In a Tube of 50) (bez PDV-a)

KM 302,06

KM 6,041 Each (In a Tube of 50) (s PDV-om)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK100E10N1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

50

Dostupno u više komada 50
50KM 258,17
100KM 516,33
150KM 774,50
200KM 1.032,66
250KM 1.290,83
300KM 1.548,99
350KM 1.807,16
400KM 2.065,32
450KM 2.323,49
500KM 2.581,66
550KM 2.839,82
600KM 3.097,99
650KM 3.356,15
700KM 3.614,32
750KM 3.872,48

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

207 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

TK

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

255 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.45mm

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15.1mm

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više