Toshiba TK N-Channel MOSFET, 10 A, 800 V, 3-Pin TO-220SIS TK10A80E,S4X(S
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.5mm
Height
15mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 1.065
RSD 212,935 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 1.278
RSD 255,522 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
5
RSD 1.065
RSD 212,935 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 1.278
RSD 255,522 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
5
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RSD 212,935 | RSD 1.065 |
| 25 - 95 | RSD 190,727 | RSD 954 |
| 100 - 245 | RSD 173,744 | RSD 869 |
| 250 - 495 | RSD 169,825 | RSD 849 |
| 500+ | RSD 164,60 | RSD 823 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.5mm
Height
15mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda