Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK40E06N1

RS kataloški broj:: 796-5099robna marka: ToshibaProizvođački broj:: TK40E06N1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TK

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

67 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.45mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15.1mm

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati
N-channel MOSFET,SUP60N0618 60A 60V
Cijena na upitEach (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 14,96

KM 2,992 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

KM 17,50

KM 3,501 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK40E06N1
Odaberite vrstu pakovanja

KM 14,96

KM 2,992 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

KM 17,50

KM 3,501 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK40E06N1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
5 - 45KM 2,992KM 14,96
50 - 120KM 2,758KM 13,79
125 - 245KM 2,719KM 13,59
250 - 495KM 2,601KM 13,01
500+KM 2,484KM 12,42

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati
N-channel MOSFET,SUP60N0618 60A 60V
Cijena na upitEach (bez PDV-a)

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TK

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

67 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.45mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15.1mm

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati
N-channel MOSFET,SUP60N0618 60A 60V
Cijena na upitEach (bez PDV-a)