Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3

RS kataloški broj:: 178-3667brend: Vishay SiliconixProizvođački broj:: SiA106DJ-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70-6L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

19 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Length

2.2mm

Number of Elements per Chip

1

Width

1.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.9 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 211.629

RSD 70,543 komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)

RSD 253.954

RSD 84,652 komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3

3000

Dostupno u više komada 3000
3000RSD 211.629
6000RSD 423.257
9000RSD 634.886
12000RSD 846.514
15000RSD 1.058.143
18000RSD 1.269.771
21000RSD 1.481.400
24000RSD 1.693.028
27000RSD 1.904.657
30000RSD 2.116.285
33000RSD 2.327.914
36000RSD 2.539.542
39000RSD 2.751.171
42000RSD 2.962.800
45000RSD 3.174.428

RSD 211.629

RSD 70,543 komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)

RSD 253.954

RSD 84,652 komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000RSD 211.629
6000RSD 423.257
9000RSD 634.886
12000RSD 846.514
15000RSD 1.058.143
18000RSD 1.269.771
21000RSD 1.481.400
24000RSD 1.693.028
27000RSD 1.904.657
30000RSD 2.116.285
33000RSD 2.327.914
36000RSD 2.539.542
39000RSD 2.751.171
42000RSD 2.962.800
45000RSD 3.174.428

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70-6L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

19 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Length

2.2mm

Number of Elements per Chip

1

Width

1.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.9 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više