Vishay N-Channel MOSFET, 1.3 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRFD120PBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.29mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
3.37mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
KM 127,13
KM 1,271 Each (In a Tube of 100) (bez PDV-a)
KM 148,74
KM 1,487 Each (In a Tube of 100) (s PDV-om)
100
KM 127,13
KM 1,271 Each (In a Tube of 100) (bez PDV-a)
KM 148,74
KM 1,487 Each (In a Tube of 100) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
100
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | Jedinična cijena | Po cijev |
|---|---|---|
| 100 - 100 | KM 1,271 | KM 127,13 |
| 200 - 400 | KM 1,213 | KM 121,26 |
| 500+ | KM 1,134 | KM 113,44 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.29mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
3.37mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda