Vishay N-Channel MOSFET, 2.6 A, 200 V, 3-Pin DPAK IRFR210TRPBF

RS kataloški broj:: 812-0616Probna marka: VishayProizvođački broj:: IRFR210TRPBF
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.6 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

2.38mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

2V

Zemlja podrijetla

Malaysia

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 166,24

KM 1,662 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 194,50

KM 1,945 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

Vishay N-Channel MOSFET, 2.6 A, 200 V, 3-Pin DPAK IRFR210TRPBF
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 10
100KM 166,24
110KM 182,87
120KM 199,49
130KM 216,12
140KM 232,74
150KM 249,36
160KM 265,99
170KM 282,61
180KM 299,24
190KM 315,86
200KM 332,49
210KM 349,11
220KM 365,73
230KM 382,36
240KM 398,98

KM 166,24

KM 1,662 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 194,50

KM 1,945 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

Vishay N-Channel MOSFET, 2.6 A, 200 V, 3-Pin DPAK IRFR210TRPBF
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 10
100KM 166,24
110KM 182,87
120KM 199,49
130KM 216,12
140KM 232,74
150KM 249,36
160KM 265,99
170KM 282,61
180KM 299,24
190KM 315,86
200KM 332,49
210KM 349,11
220KM 365,73
230KM 382,36
240KM 398,98

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

količinaJedinična cijenaPo kolut
100 - 240KM 1,662KM 16,62
250 - 490KM 1,604KM 16,04
500 - 990KM 1,584KM 15,84
1000+KM 1,369KM 13,69

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.6 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

2.38mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

2V

Zemlja podrijetla

Malaysia

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više