Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 4.5 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 SIA517DJ-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A, 4.5 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ, 170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
6.5 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
2.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
2.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.1 nC @ 8 V, 9.7 nC @ 8 V
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 14,60
€ 0,73 Each (In a Pack of 20) (bez PDV-a)
€ 17,08
€ 0,854 Each (In a Pack of 20) (s PDV-om)
Standard
20
€ 14,60
€ 0,73 Each (In a Pack of 20) (bez PDV-a)
€ 17,08
€ 0,854 Each (In a Pack of 20) (s PDV-om)
Standard
20
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cijena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,73 | € 14,60 |
| 200 - 480 | € 0,65 | € 13,00 |
| 500 - 980 | € 0,57 | € 11,40 |
| 1000 - 1980 | € 0,56 | € 11,20 |
| 2000+ | € 0,50 | € 10,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A, 4.5 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ, 170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
6.5 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
2.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
2.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.1 nC @ 8 V, 9.7 nC @ 8 V
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda