Vishay N-Channel MOSFET, 1.7 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD014PBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Width
6.29mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 282
RSD 282 Each (bez PDV-a)
RSD 339
RSD 339 Each (s PDV-om)
Standard
1
RSD 282
RSD 282 Each (bez PDV-a)
RSD 339
RSD 339 Each (s PDV-om)
Standard
1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cena |
|---|---|
| 1 - 9 | RSD 282 |
| 10 - 49 | RSD 257 |
| 50 - 99 | RSD 239 |
| 100 - 249 | RSD 231 |
| 250+ | RSD 226 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Width
6.29mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda