Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

RS kataloški broj:: 262-5858robna marka: InfineonProizvođački broj:: IPB029N06NF2SATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 3,05

Each (On a Reel of 800) (bez PDV-a)

KM 3,568

Each (On a Reel of 800) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

800

Dostupno u više komada 800
800KM 2.439,75
1600KM 4.879,50
2400KM 7.319,25
3200KM 9.759,00
4000KM 12.198,76
4800KM 14.638,51
5600KM 17.078,26
6400KM 19.518,01
7200KM 21.957,76
8000KM 24.397,51
8800KM 26.837,26
9600KM 29.277,01
10400KM 31.716,77
11200KM 34.156,52
12000KM 36.596,27

KM 3,05

Each (On a Reel of 800) (bez PDV-a)

KM 3,568

Each (On a Reel of 800) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

800

Dostupno u više komada 800
800KM 2.439,75
1600KM 4.879,50
2400KM 7.319,25
3200KM 9.759,00
4000KM 12.198,76
4800KM 14.638,51
5600KM 17.078,26
6400KM 19.518,01
7200KM 21.957,76
8000KM 24.397,51
8800KM 26.837,26
9600KM 29.277,01
10400KM 31.716,77
11200KM 34.156,52
12000KM 36.596,27

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više