Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1

RS kataloški broj:: 262-5859brend: InfineonProizvođački broj:: IPB029N06NF2SATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 1.672

RSD 334,425 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 2.007

RSD 401,31 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1
Odaberite vrstu pakovanja

RSD 1.672

RSD 334,425 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 2.007

RSD 401,31 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

količinaJedinična cenaPo pakovanje
5 - 45RSD 334,425RSD 1.672
50 - 120RSD 308,298RSD 1.541
125 - 245RSD 300,46RSD 1.502
250 - 495RSD 291,316RSD 1.457
500+RSD 278,252RSD 1.391

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više