Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1

RS kataloški broj:: 262-5864robna marka: InfineonProizvođački broj:: IPD029N04NF2SATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

131 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 1,471

Each (On a Reel of 2000) (bez PDV-a)

KM 1,721

Each (On a Reel of 2000) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1

2000

Dostupno u više komada 2000
2000KM 2.941,54
4000KM 5.883,09
6000KM 8.824,63
8000KM 11.766,18
10000KM 14.707,72
12000KM 17.649,26
14000KM 20.590,81
16000KM 23.532,35
18000KM 26.473,90
20000KM 29.415,44
22000KM 32.356,98
24000KM 35.298,53
26000KM 38.240,07
28000KM 41.181,62
30000KM 44.123,16

KM 1,471

Each (On a Reel of 2000) (bez PDV-a)

KM 1,721

Each (On a Reel of 2000) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2000

Dostupno u više komada 2000
2000KM 2.941,54
4000KM 5.883,09
6000KM 8.824,63
8000KM 11.766,18
10000KM 14.707,72
12000KM 17.649,26
14000KM 20.590,81
16000KM 23.532,35
18000KM 26.473,90
20000KM 29.415,44
22000KM 32.356,98
24000KM 35.298,53
26000KM 38.240,07
28000KM 41.181,62
30000KM 44.123,16

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

131 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više