N-Channel MOSFET, 52 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 onsemi NTMYS7D3N04CLTWG

RS kataloški broj:: 195-2524robna marka: onsemiProizvođački broj:: NTMYS7D3N04CLTWG
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

52 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

LFPAK, SOT-669

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

12 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

38 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

4.25mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7 nC @ 4.5 V

Height

1.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 2,942

Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 3,442

Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 52 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 onsemi NTMYS7D3N04CLTWG

3000

Dostupno u više komada 3000
3000KM 8.824,63
6000KM 17.649,26
9000KM 26.473,90
12000KM 35.298,53
15000KM 44.123,16
18000KM 52.947,79
21000KM 61.772,42
24000KM 70.597,06
27000KM 79.421,69
30000KM 88.246,32
33000KM 97.070,95
36000KM 105.895,58
39000KM 114.720,22
42000KM 123.544,85
45000KM 132.369,48

KM 2,942

Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 3,442

Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 52 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 onsemi NTMYS7D3N04CLTWG
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000KM 8.824,63
6000KM 17.649,26
9000KM 26.473,90
12000KM 35.298,53
15000KM 44.123,16
18000KM 52.947,79
21000KM 61.772,42
24000KM 70.597,06
27000KM 79.421,69
30000KM 88.246,32
33000KM 97.070,95
36000KM 105.895,58
39000KM 114.720,22
42000KM 123.544,85
45000KM 132.369,48

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

52 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

LFPAK, SOT-669

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

12 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

38 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

4.25mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7 nC @ 4.5 V

Height

1.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više