N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK8P60W5,RVQ(S

RS kataloški broj:: 133-2804robna marka: ToshibaProizvođački broj:: TK8P60W5,RVQ(S
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

DTMOSIV

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

560 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

80 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Height

2.3mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 33,96

KM 3,396 Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)

KM 39,73

KM 3,973 Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK8P60W5,RVQ(S

10

Dostupno u više komada 10
10KM 33,96
20KM 67,92
30KM 101,87
40KM 135,83
50KM 169,79
60KM 203,75
70KM 237,70
80KM 271,66
90KM 305,62
100KM 339,58
110KM 373,53
120KM 407,49
130KM 441,45
140KM 475,41
150KM 509,36

KM 33,96

KM 3,396 Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)

KM 39,73

KM 3,973 Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK8P60W5,RVQ(S
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

10

Dostupno u više komada 10
10KM 33,96
20KM 67,92
30KM 101,87
40KM 135,83
50KM 169,79
60KM 203,75
70KM 237,70
80KM 271,66
90KM 305,62
100KM 339,58
110KM 373,53
120KM 407,49
130KM 441,45
140KM 475,41
150KM 509,36

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

DTMOSIV

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

560 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

80 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Height

2.3mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više