IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IXFH26N60P

RS kataloški broj:: 194-451brend: IXYSProizvođački broj:: IXFH26N60PDistrelec broj artikla: 30253317
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

26 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

270 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

460 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Width

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

16.26mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

21.46mm

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati

RSD 1.907

RSD 1.907 Each (bez PDV-a)

RSD 2.289

RSD 2.289 Each (s PDV-om)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IXFH26N60P
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1RSD 1.907
2RSD 3.815
3RSD 5.722
4RSD 7.629
5RSD 9.536
6RSD 10.025
7RSD 11.696
8RSD 13.367
9RSD 15.037
10RSD 16.708
11RSD 18.379
12RSD 20.050
13RSD 21.721
14RSD 23.391
15RSD 24.808

RSD 1.907

RSD 1.907 Each (bez PDV-a)

RSD 2.289

RSD 2.289 Each (s PDV-om)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IXFH26N60P

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1RSD 1.907
2RSD 3.815
3RSD 5.722
4RSD 7.629
5RSD 9.536
6RSD 10.025
7RSD 11.696
8RSD 13.367
9RSD 15.037
10RSD 16.708
11RSD 18.379
12RSD 20.050
13RSD 21.721
14RSD 23.391
15RSD 24.808

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinaJedinična cena
1 - 5RSD 1.907
6 - 14RSD 1.671
15+RSD 1.654

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

26 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

270 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

460 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Width

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

16.26mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

21.46mm

Detalji o proizvodu

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Možda će vas interesovati