N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC040N10NS5ATMA1

RS kataloški broj:: 170-2309robna marka: InfineonProizvođački broj:: BSC040N10NS5ATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

OptiMOS™ 5

Package Type

TDSON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

139 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

6.35mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.49mm

Typical Gate Charge @ Vgs

58 nC @ 10 V

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 4,023

Each (On a Reel of 5000) (bez PDV-a)

KM 4,707

Each (On a Reel of 5000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC040N10NS5ATMA1

5000

Dostupno u više komada 5000
5000KM 20.114,97
10000KM 40.229,94
15000KM 60.344,91
20000KM 80.459,88
25000KM 100.574,85
30000KM 120.689,82
35000KM 140.804,79
40000KM 160.919,76
45000KM 181.034,73
50000KM 201.149,70
55000KM 221.264,67
60000KM 241.379,64
65000KM 261.494,61
70000KM 281.609,58
75000KM 301.724,55

KM 4,023

Each (On a Reel of 5000) (bez PDV-a)

KM 4,707

Each (On a Reel of 5000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC040N10NS5ATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

5000

Dostupno u više komada 5000
5000KM 20.114,97
10000KM 40.229,94
15000KM 60.344,91
20000KM 80.459,88
25000KM 100.574,85
30000KM 120.689,82
35000KM 140.804,79
40000KM 160.919,76
45000KM 181.034,73
50000KM 201.149,70
55000KM 221.264,67
60000KM 241.379,64
65000KM 261.494,61
70000KM 281.609,58
75000KM 301.724,55

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

OptiMOS™ 5

Package Type

TDSON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

139 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

6.35mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.49mm

Typical Gate Charge @ Vgs

58 nC @ 10 V

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više