Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1

RS kataloški broj:: 284-724brend: InfineonProizvođački broj:: IMT65R057M1HXUMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 2.795.587

RSD 1.397,793 komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)

RSD 3.354.704

RSD 1.677,352 komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1

2000

Dostupno u više komada 2000
2000RSD 2.795.587
4000RSD 5.591.174
6000RSD 8.386.761
8000RSD 11.182.347
10000RSD 13.977.934
12000RSD 16.773.521
14000RSD 19.569.108
16000RSD 22.364.695
18000RSD 25.160.282
20000RSD 27.955.869
22000RSD 30.751.455
24000RSD 33.547.042
26000RSD 36.342.629
28000RSD 39.138.216
30000RSD 41.933.803

RSD 2.795.587

RSD 1.397,793 komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)

RSD 3.354.704

RSD 1.677,352 komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2000

Dostupno u više komada 2000
2000RSD 2.795.587
4000RSD 5.591.174
6000RSD 8.386.761
8000RSD 11.182.347
10000RSD 13.977.934
12000RSD 16.773.521
14000RSD 19.569.108
16000RSD 22.364.695
18000RSD 25.160.282
20000RSD 27.955.869
22000RSD 30.751.455
24000RSD 33.547.042
26000RSD 36.342.629
28000RSD 39.138.216
30000RSD 41.933.803

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više