Dual SiC N-Channel MOSFET, 143 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD023N04NF2SATMA1

RS kataloški broj:: 262-5860robna marka: InfineonProizvođački broj:: IPD023N04NF2SATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

143 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 1,86

Each (On a Reel of 2000) (bez PDV-a)

KM 2,176

Each (On a Reel of 2000) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 143 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD023N04NF2SATMA1

2000

Dostupno u više komada 2000
2000KM 3.720,19
4000KM 7.440,38
6000KM 11.160,56
8000KM 14.880,75
10000KM 18.600,94
12000KM 22.321,13
14000KM 26.041,32
16000KM 29.761,50
18000KM 33.481,69
20000KM 37.201,88
22000KM 40.922,07
24000KM 44.642,26
26000KM 48.362,44
28000KM 52.082,63
30000KM 55.802,82

KM 1,86

Each (On a Reel of 2000) (bez PDV-a)

KM 2,176

Each (On a Reel of 2000) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 143 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD023N04NF2SATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2000

Dostupno u više komada 2000
2000KM 3.720,19
4000KM 7.440,38
6000KM 11.160,56
8000KM 14.880,75
10000KM 18.600,94
12000KM 22.321,13
14000KM 26.041,32
16000KM 29.761,50
18000KM 33.481,69
20000KM 37.201,88
22000KM 40.922,07
24000KM 44.642,26
26000KM 48.362,44
28000KM 52.082,63
30000KM 55.802,82

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

143 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više