N-Channel MOSFET, 600 A, 40 V, 24-Pin SMPD IXYS MMIX1T600N04T2
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
GigaMOS, HiperFET
Package Type
SMPD
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
24
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
830 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
23.25mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
25.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
590 nC @ 10 V
Height
5.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Zemlja podrijetla
Germany
Detalji o proizvodu
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 1.020,40
€ 51,02 Each (In a Tube of 20) (bez PDV-a)
€ 1.193,87
€ 59,693 Each (In a Tube of 20) (s PDV-om)
20
€ 1.020,40
€ 51,02 Each (In a Tube of 20) (bez PDV-a)
€ 1.193,87
€ 59,693 Each (In a Tube of 20) (s PDV-om)
20
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
GigaMOS, HiperFET
Package Type
SMPD
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
24
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
830 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
23.25mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
25.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
590 nC @ 10 V
Height
5.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Zemlja podrijetla
Germany
Detalji o proizvodu
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda