N-Channel MOSFET, 11.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC MagnaChip MDS1528URH
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
27.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
4.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.3 nC @ 10 V
Width
3.9mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.5mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
27.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
4.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.3 nC @ 10 V
Width
3.9mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.5mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda