N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia 2N7002P,215

RS kataloški broj:: 103-8114robna marka: NexperiaProizvođački broj:: 2N7002P,215
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

360 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

420 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 0,13

Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 0,152

Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia 2N7002P,215

KM 0,13

Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)

KM 0,152

Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia 2N7002P,215
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

360 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

420 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više