NXP PMBFJ308,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 60mA, 3-Pin SOT-23

RS kataloški broj:: 626-3308robna marka: NXPProizvođački broj:: PMBFJ308,215
brand-logo
Prikaži sve u JFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

12 to 60mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

-25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Width

1.4mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 0,389

Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)

KM 0,455

Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)

NXP PMBFJ308,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 60mA, 3-Pin SOT-23
Odaberite vrstu pakovanja

KM 0,389

Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)

KM 0,455

Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)

NXP PMBFJ308,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 60mA, 3-Pin SOT-23
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
10 - 40KM 0,389KM 3,89
50 - 490KM 0,346KM 3,46
500+KM 0,303KM 3,03

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

12 to 60mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

-25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Width

1.4mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više