N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V, 4-Pin Power88 onsemi FCMT180N65S3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
Power88
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Width
8mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Philippines
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
KM 9,841
Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)
KM 11,514
Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)
Standard
10
KM 9,841
Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)
KM 11,514
Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)
Standard
10
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cijena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 10 - 90 | KM 9,841 | KM 98,41 |
| 100+ | KM 7,895 | KM 78,95 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
Power88
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Width
8mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Philippines
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda