onsemi MMBFJ112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin SOT-23

RS kataloški broj:: 761-3684robna marka: onsemiProizvođački broj:: MMBFJ112
brand-logo
Prikaži sve u JFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 5mA

Maximum Gate Source Voltage

-35 V

Maximum Drain Gate Voltage

35V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

28pF

Source Gate On-Capacitance

28pF

Dimensions

2.92 x 1.3 x 0.93mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.92mm

Height

0.93mm

Width

1.3mm

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 0,757

Each (In a Pack of 25) (bez PDV-a)

KM 0,886

Each (In a Pack of 25) (s PDV-om)

onsemi MMBFJ112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin SOT-23
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

25

Dostupno u više komada 25
25KM 18,93
50KM 37,85
75KM 56,78
100KM 64,89
125KM 81,11
150KM 97,33
175KM 113,55
200KM 129,77
225KM 146,00
250KM 146,00
275KM 160,60
300KM 175,19
325KM 189,79
350KM 204,39
375KM 218,99

KM 0,757

Each (In a Pack of 25) (bez PDV-a)

KM 0,886

Each (In a Pack of 25) (s PDV-om)

onsemi MMBFJ112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin SOT-23
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

25

Dostupno u više komada 25
25KM 18,93
50KM 37,85
75KM 56,78
100KM 64,89
125KM 81,11
150KM 97,33
175KM 113,55
200KM 129,77
225KM 146,00
250KM 146,00
275KM 160,60
300KM 175,19
325KM 189,79
350KM 204,39
375KM 218,99

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
25 - 75KM 0,757KM 18,93
100 - 225KM 0,649KM 16,22
250 - 475KM 0,584KM 14,60
500 - 975KM 0,541KM 13,52
1000+KM 0,519KM 12,98

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 5mA

Maximum Gate Source Voltage

-35 V

Maximum Drain Gate Voltage

35V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

28pF

Source Gate On-Capacitance

28pF

Dimensions

2.92 x 1.3 x 0.93mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.92mm

Height

0.93mm

Width

1.3mm

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više