ROHM RRR040P03 P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 3-Pin TSMT-3 RQ5E040RPTL
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
RRR040P03
Package Type
TSMT-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
72 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.85mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 40,00
€ 0,40 komadno (isporučuje se u namotaju) (bez PDV-a)
€ 46,80
€ 0,468 komadno (isporučuje se u namotaju) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
100
€ 40,00
€ 0,40 komadno (isporučuje se u namotaju) (bez PDV-a)
€ 46,80
€ 0,468 komadno (isporučuje se u namotaju) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (kolut)
100
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
RRR040P03
Package Type
TSMT-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
72 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.85mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda