SiC N-Channel MOSFET Module, 33 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK-7 STMicroelectronics SCTW100N65G2AG

RS kataloški broj:: 202-5485brend: STMicroelectronicsProizvođački broj:: SCTW100N65G2AG
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

SCT

Package Type

H²PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

0.105 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 187.174

RSD 6.239,123 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)

RSD 224.608

RSD 7.486,948 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)

SiC N-Channel MOSFET Module, 33 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK-7 STMicroelectronics SCTW100N65G2AG

30

Dostupno u više komada 30
30RSD 187.174
60RSD 374.347
90RSD 561.521
120RSD 748.695
150RSD 935.868
180RSD 1.123.042
210RSD 1.310.216
240RSD 1.497.389
270RSD 1.684.563
300RSD 1.871.737
330RSD 2.058.911
360RSD 2.246.084
390RSD 2.433.258
420RSD 2.620.432
450RSD 2.807.605

RSD 187.174

RSD 6.239,123 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)

RSD 224.608

RSD 7.486,948 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)

SiC N-Channel MOSFET Module, 33 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK-7 STMicroelectronics SCTW100N65G2AG
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

30

Dostupno u više komada 30
30RSD 187.174
60RSD 374.347
90RSD 561.521
120RSD 748.695
150RSD 935.868
180RSD 1.123.042
210RSD 1.310.216
240RSD 1.497.389
270RSD 1.684.563
300RSD 1.871.737
330RSD 2.058.911
360RSD 2.246.084
390RSD 2.433.258
420RSD 2.620.432
450RSD 2.807.605

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

SCT

Package Type

H²PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

0.105 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više