SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG

RS kataloški broj:: 202-5487robna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: SCTW35N65G2VAG
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

SCT

Package Type

Hip247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.055 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 1.476,83

KM 49,228 Each (In a Tube of 30) (bez PDV-a)

KM 1.727,89

KM 57,597 Each (In a Tube of 30) (s PDV-om)

SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG

30

Dostupno u više komada 30
30KM 1.476,83
60KM 2.953,66
90KM 4.430,48
120KM 5.907,31
150KM 7.384,14
180KM 8.860,97
210KM 10.337,80
240KM 11.814,62
270KM 13.291,45
300KM 14.768,28
330KM 16.245,11
360KM 17.721,94
390KM 19.198,77
420KM 20.675,59
450KM 22.152,42

KM 1.476,83

KM 49,228 Each (In a Tube of 30) (bez PDV-a)

KM 1.727,89

KM 57,597 Each (In a Tube of 30) (s PDV-om)

SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

30

Dostupno u više komada 30
30KM 1.476,83
60KM 2.953,66
90KM 4.430,48
120KM 5.907,31
150KM 7.384,14
180KM 8.860,97
210KM 10.337,80
240KM 11.814,62
270KM 13.291,45
300KM 14.768,28
330KM 16.245,11
360KM 17.721,94
390KM 19.198,77
420KM 20.675,59
450KM 22.152,42

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

SCT

Package Type

Hip247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.055 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više