N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD25NF20
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Series
STripFET
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
KM 11.409,30
KM 4,564 Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)
KM 13.348,88
KM 5,34 Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)
2500
KM 11.409,30
KM 4,564 Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)
KM 13.348,88
KM 5,34 Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)
2500
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Series
STripFET
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda