STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 3 A, 900 V, 3-Pin DPAK STD3NK90ZT4
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22.7 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 2.325,00
€ 0,93 komadno (u namotaju od 2500) (bez PDV-a)
€ 2.720,25
€ 1,088 komadno (u namotaju od 2500) (s PDV-om)
2500
€ 2.325,00
€ 0,93 komadno (u namotaju od 2500) (bez PDV-a)
€ 2.720,25
€ 1,088 komadno (u namotaju od 2500) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
2500
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22.7 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda