STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF13NM60N
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
360 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
16.4mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 4.050
RSD 405 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 4.860
RSD 486 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
10
RSD 4.050
RSD 405 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 4.860
RSD 486 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
10
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cena |
|---|---|
| 10 - 99 | RSD 405 |
| 100 - 499 | RSD 333 |
| 500 - 999 | RSD 314 |
| 1000+ | RSD 274 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
360 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
16.4mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda