N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STF28N60DM2

RS kataloški broj:: 168-5889robna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: STF28N60DM2
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

21 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

160 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

30 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Width

4.6mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

34 nC @ 10 V

Height

16.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STF28N60DM2

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STF28N60DM2
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

21 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

160 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

30 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Width

4.6mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

34 nC @ 10 V

Height

16.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više