N-Channel MOSFET, 32 A, 650 V, 3-Pin I2PAK STMicroelectronics STI40N65M2

RS kataloški broj:: 876-5676robna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: STI40N65M2
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

32 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

MDmesh M2

Package Type

I2PAK (TO-262)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

99 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

250 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

56.5 nC @ 10 V

Width

4.6mm

Transistor Material

Si

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

9.35mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 32 A, 650 V, 3-Pin I2PAK STMicroelectronics STI40N65M2
Odaberite vrstu pakovanja

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 32 A, 650 V, 3-Pin I2PAK STMicroelectronics STI40N65M2
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

32 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

MDmesh M2

Package Type

I2PAK (TO-262)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

99 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

250 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

56.5 nC @ 10 V

Width

4.6mm

Transistor Material

Si

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

9.35mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više