N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V, 3-Pin ITO-220S Taiwan Semi TSM60NB260CI C0G

RS kataloški broj:: 171-3632robna marka: Taiwan SemiconductorProizvođački broj:: TSM60NB260CI C0G
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Taiwan Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

ITO-220S

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

260 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

32.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Width

4.6mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

30 nC @ 10 V

Height

15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V, 3-Pin ITO-220S Taiwan Semi TSM60NB260CI C0G

1000

Dostupno u više komada 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V, 3-Pin ITO-220S Taiwan Semi TSM60NB260CI C0G
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

1000

Dostupno u više komada 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Taiwan Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

ITO-220S

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

260 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

32.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Width

4.6mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

30 nC @ 10 V

Height

15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više